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TIF500-65-11ES:解码记忆体芯片的散热密码

作者: 兆科 编辑: 导热材料 来源: http://www.drmfd.com/products/tif7008332.html 发布日期: 2025.08.26
信息摘要:
在AI算力与数据存储需求爆发的时代,兆科科技推出的TIF500-65-11ES导热材料,以6.5W/m·K超高导热系数与30%压缩变形率,成…

在AI算力与数据存储需求爆发的时代,兆科科技推出的TIF500-65-11ES导热材料,以6.5W/m·K超高导热系数与30%压缩变形率,成为DRAM、HBM等高速记忆体芯片的散热核心。其超软硅胶基材(硬度20°ShoreOO)完美贴合芯片表面微凸起,消除气隙热阻,使记忆体模组在持续高频读写下温度降低15℃,稳定性提升30%

技术突破:从材料到场景的精准适配

纳米级热传导:通过陶瓷填充复合填料,实现热量在芯片-散热器间的定向传导,热阻较传统硅脂降低40%。

动态应力缓冲:在-40℃至200℃极端温差下,材料形变率<5%,避免因热胀冷缩导致的芯片焊点断裂。

高可压缩性,柔软兼有弹性,适合于在低压力应用环境

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行业应用:从数据中心到边缘计算

AI训练集群:在NVIDIA H100 GPU模组中,TIF500-60-11ES使内存温度稳定在85℃以下,推理速度提升12%。

5G基站:应用于毫米波天线内存散热,满足-40℃至85℃宽温运行,故障率下降60%。

未来布局:散热即服务(TaaS)

兆科计划将TIF500-65-11ES与相变材料结合,推出智能温控散热模组,通过实时调节导热系数实现“按需散热”,预计2026年量产。正如行业专家评价:“当散热材料成为芯片的‘第二层皮肤’,性能瓶颈将不复存在。”

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